DSJet以“專利金百項目”為核心，實現干冰雪花清洗技術重大突破

發布時間：2025-11-11 所屬分類：【DSjet技術】閱讀：6701

在摩爾定律持續逼近物理極限的今天，半導體制造的良率與精度日益依賴于每一道工序的極致潔凈。迪史潔（上海）清洗設備有限公司，憑借其前瞻性的戰略布局與深厚的科技積淀，

以 “專利金百項目” 為創新引擎，在半導體前道制程及先進封裝領域取得了里程碑式的技術突破，為行業提供了顛覆性的綠色清洗解決方案。

一、 直面行業痛點：顛覆傳統，破解清洗難題

傳統濕法清洗在半導體制造中面臨嚴峻挑戰：

化學殘留風險：化學品及超純水易在納米級結構中殘留，導致器件性能劣化。

物理損傷：液體表面張力導致的高深寬比結構“拉拔效應”（Stiction），使精細結構坍塌。

環境影響：巨額耗水與高純度化學廢液處理帶來巨大的環保與成本壓力。

兼容性瓶頸：難以適用于新型低k介質、超薄晶圓及MEMS等敏感器件。

迪史潔的研發，正是為了從根本上破解這些難題。

二、 核心技術突破：“專利金百項目”的三大創新維度

我們的“專利金百項目”并非單一技術，而是一個涵蓋材料、裝備、工藝的系統性技術矩陣。

超精密雪花控制技術

突破點：通過獨有的多級減壓與溫控噴嘴，實現了干冰雪花顆粒度的亞微米級精準控制（可達0.5-1μm）。雪花顆粒均勻、動能一致，確保了清洗的均勻性與可重復性。

行業價值：可安全應用于3nm/5nm制程的晶圓，清洗后關鍵尺寸變化可忽略不計，完美保護電路結構的完整性。

晶圓無損夾持與全域溫度場管理技術

突破點：針對晶圓對熱應力與機械應力極度敏感的特性，開發了靜電夾持與背面低溫循環耦合系統。在清洗過程中，晶圓表面溫度可穩定控制在-50℃至-20℃的精確區間，既保證了清洗效率，

又徹底杜絕了因急冷急熱導致的晶圓翹曲或隱裂。

行業價值：為超薄晶圓（厚度<100μm）的清洗提供了前所未有的可靠保障。

智能化在線監測與閉環控制技術

突破點：集成高精度光譜與顆粒度在線傳感器，實時監測清洗腔體內的顆粒物濃度與化學成分。基于AI算法，系統能自動調整雪花噴射參數與流程時間，實現 “感知-決策-執行”

的全程閉環智能控制。

行業價值：實現了從“經驗式清洗”到“數據驅動式清洗”的跨越，使每一片晶圓的清洗過程都可追溯、可優化，為實現 “零缺陷”制造奠定了基礎。

三、 標志性應用成果：已在關鍵工藝節點驗證

迪史潔的干冰雪花清洗設備已在多家頭部半導體企業的生產線上完成驗證，并取得顯著成效：

應用一：EUV光刻后殘留物去除

成功清除EUV光刻后難以處理的金屬有機殘留物，清洗率>99.9%，且對EUV光罩膜零損傷，替代了多種高成本、高風險的化學品組合。

應用二：MEMS器件結構釋放

在MEMS陀螺儀和加速度計的微橋、懸臂梁釋放工藝中，憑借零表面張力的特性，完美避免了結構粘連（Stiction）問題，良率提升超過15%。

應用三：先進封裝硅通孔（TSV）清潔

有效清除TSV深孔內的鉆污和顆粒，為后續的無缺陷銅填充提供了絕對潔凈的界面，大幅降低了封裝互連的失效率。

四、 研發愿景與未來布局

迪史潔的“專利金百項目”不僅是技術攻堅，更承載著我們對產業未來的承諾：

綠色制造：推動半導體產業向 “零化學排放、零水耗” 的終極目標邁進。

智能升級：深度融合工業4.0，打造半導體智慧工廠的“潔凈感知”節點。

材料兼容：持續拓展技術在第三代半導體（SiC, GaN）及二維材料等前沿領域的應用。


迪史潔（上海）清洗設備有限公司，正以扎實的科技創新，將一項曾經主要應用于工業領域的清洗技術，錘煉成為半導體尖端制造的“神來之筆”。我們不僅是清洗設備的提供者，

更是中國半導體產業邁向高端、實現供應鏈安全與自主可控之路上的堅定同行者。